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VD MOSFET
SiC Diode
IGBT Discretes
SJ MOSFET
IGBT module
IPM
FRD
PIM
SGT MOSFET
Trench MOSFET

VD MOSFET                                                                                                                                                                                      

芯长征的VD MOSFET——兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,无论是开关应用还是线形应用,VDMOS都是理想的功率器件。


芯长征VD MOSFET,采用条形元胞结构,通过在工艺上对N-JFET的调整,减小JFET效应,使器件的导通电阻减小,从而降低了器件工作时的温升,提高了系统的转换效率,同时在EAS能力方面具有较大优势,产品的电压覆盖范围500V~800V,电流覆盖2A~25安培,可提供更多的产品选择。


产品特点                                                                                                                                                    

·低Crss和低Qg, 降低开关损耗;

·低导通阻抗,降低导通损耗 ;

·高抗浪涌能力



产品                                                                                                               

Part Number

Package


VDSS(V)


ID(A)@25℃


V(GS)th(V)@250μA

RDS(on)(Ω)@VGS=10V 25℃


QG(nC)

min

max

typ

MPVX5N50CCFDTO-251、TO-25250053.551.414.5
MPVA13N50FTO-220F50013240.3636
MPVX20N50BTO-220F   TO-220    TO-247     TO-3P50020340.2475
MPVA20N50FTO-220F50020240.2160
MPVX2N65F

TO-220F

TO-251

TO-252

6502244.56.3
MPVX4N65F

TO-220F

TO-251

TO-252

6504242.311
MPVA7N65FTO-220F6507241.119
MPVD7N65FTO-2526507241.219
MPVA10N65FTO-220F65010240.8229
MPVA12N65FTO-220F65012240.6236
MPVX20N65FTO-220F TO-22065020240.3860
MPVX4N70FTO-220F   TO-251    TO-2527004242.911


SiC SBD

芯长征的SiC SBD可实现Si FRD无法实现的极短反向恢复时间,且反向恢复特性几乎不受温度变化影响,实现器件的高速开关。


芯长征的SiC SBD,其导通过程中没有额外载流子的注入和储存,反向恢复电荷量(Qrr)小,可降低开关损耗。SiC SBD弥补了Si SBD的不足,是高压快速与低功率损耗、耐高温相结合的理想器件。


产品特点

·反向恢复电荷少,开关损耗低;

·反向恢复时间短,实现高速开关



产品

Part NumberPackageVRRM (V)

IF(A)

VF(V)@ 25℃ typQG(nC) typTechnology
@ 135℃@ 150℃@ 158℃
MPCX2N65ATO-220-2   TO-252-2650--21.45.4SiC
MPCX4N65ATO-220F-2 TO-220-2 TO-252-2650--31.47.7SiC
MPCC6N65ATO-220-26506--1.418SiC
MPCF6N65ATO-220F-2650-6-1.418SiC
MPCD6N65ATO-252-2650-6-1.418SiC
MPCX8N65ATO-220F-2 TO-220-2 TO-252-2650-8-1.4226SiC
MPCX10N65ATO-220-2   TO-252-2650-10-1.525SiC
MPCC15N65ATO-220-2650-15-1.433SiC
MPCC6N120ATO-220-21200--61.5819SiC
MPCC10N120ATO-220-21200-10-1.630SiC




IGBT Discretes

芯长征IGBT采用先进的沟槽栅场截止(Trench FS)技术,结合先进的工艺平台,致力于为客户提供稳定可靠,性能优良的产品。


芯长征的IGBT针对不同应用领域的需求,对静态参数、动态参数和短路参数进行优化折中以实现高性能。芯长征目前提供600V~1200V电压等级的IGBT单管,封装形式包括TO-220、TO220-FP、TO-247、TO-3P、TO-247PLUS、TO-263和TO-264等,适用于逆变焊机、通用变频、电机控制、不间断电源、太阳能逆变器等应用。


产品特点

·较低的饱和压降,较快的开关速度,较强的短路承受能力;

·阈值电压和饱和压降等参数一致性好,饱和压降为正温度系数,易于并联使用;

·可靠性高,结温上限150℃~175℃;

·内置反向恢复特性良好的快恢复二极管



产品

Part Number

Package

VCE(V)

IC(A)@100℃

VGE(th)(V)

VCE(sat) (V)@VGE=15V 25℃

With FRD(Y/N)

typ

typ

MPBW60N60DTO-2476006061.8Y
MPBD6N65EFTO-25265065.81.3Y
MPBX10N65EF

TO-220F

TO-252

TO-220

650105.51.4Y
MPBX15N65EF

TO-220F

TO-263

TO-220

650155.81.45Y
MPBX20N65EF

TO-220F

TO-263

TO-220

TO-247

TO-3P

650205.81.45Y
MPBW50N65ETO-247650505.51.6Y
MPBW50N65EHTO-247650505.51.6Y
MPBW50N65EDTO-247650505.51.6Y
MPBW75N65ETO-247650755.41.55Y
MPBW15N120BFTO-24712001561.8Y
MPBW25N120BTO-24712002562.2Y
MPBW25N120BFTO-24712002561.9Y
MPBW30N120ETO-2471200305.81.6Y
MPBW40N120BFTO-2471200405.81.85Y
MPBW40N120ETO-2471200405.81.7Y
MPBW40N120EHTO-2471200405.81.9Y
MPBL50N120BTO-2641200505.81.9Y
MPBQ50N120BTO-247 Plus1200505.81.8Y
MPBL75N120BFTO-26412007561.9Y
MPBQ75N120BFTO-247 Plus1200755.81.9Y
MPBQ75N120ETO-247 Plus1200755.61.58Y
MPBQ100N120ETO-247 Plus12001005.41.7Y



SJ MOSFET

芯长征的SJ MOSFET是一种新颖的中高压单极性功率器件,主要通过采用电荷平衡技术来实现低导通电阻性能,目前是在电源领域保持着强大生命力的功率器件。


芯长征的SJ MOSFET通过采用多次外延技术实现了低导通电阻RDSON和FOM优值(RDSON*Qg),应用中可减少系统功率损耗并提高其转换效率,并且通过采用寿命控制技术对部分产品体二极管反向恢复特性进行了优化,实现了高性能和优异反向恢复特性产品。目前可提供电压范围600V~800V,电流范围4A~100A的系列产品。



产品特点

·外层外延工艺,改进EMI;

·低FOM值,降低导通和开关损耗;

·高EAS能力,优异反向恢复特性



产品

Part NumberPackageVDSS(V)

ID(A)@

25℃

V(GS)th (V) typ

RDS(on)(Ω)@

VGS=10V 25℃ max

QG(nc)
MPSW60M041TO-247600663-40.041140
MPSW60M043CFDTO-247600663-50.043140
MPSX60M082TO-220F TO-247600433-40.08272
MPSW60M086CFDTO-247600433-50.08672
MPSW60M115BTO-24760026.62-40.11565
MPSW60M150BTO-24760021.42-40.1550
MPSX60M160TO-220F TO-220     TO-262 TO-263 TO-247600202.5-3.50.1638.5
MPSA60M160CFDTO-220F600203-50.1642
MPSC60M160CFDTO-263600203-50.1642
MPSA60M190BTO-220F60017.62-40.1940
MPSW60M190BTO-24760017.62-40.1940
MPSY60M190BDFN8×860018.62-40.19540
MPSA60M250CFDTO-220F600153-50.2527
MPSA60M350BTO-220F60010.92-40.3522.6
MPSD60M350BTO-25260010.92-40.3522.6
MPSU60M900BTO-25160052-40.99.3
MPSD60M900BTO-25260052-40.99.3
MPSA60M900BTO-220F60052-40.99.3
MPSW65M046CFDTO-247650623-50.046 143
MPSW65M092CFDTO-247650413-50.09272
MPSW65M110BTO-24765029.12-40.1175
MPSA65M110BTO-220F65029.12-40.1175
MPSW65M130BTO-247650252-40.1365
MPSA65M130BTO-220F650252-40.1365
MPSA65M165BTO-220F65020.42-40.16550
MPSW65M165BTO-24765020.42-40.16550
MPSX65M170TO-220F TO-220 TO-262 TO-263 TO-247 DFN8×8650202.5-3.50.1738.5
MPSA65M180CFDTO-220F650203-50.1842
MPSA65M210BTO-220F65016.82-40.2140
MPSC65M210BTO-26365016.82-40.2140
MPSP65M210BTO-22065016.82-40.2140
MPSH65M210BTO-26265016.82-40.2140
MPSX65M260TO-220F TO-220 TO-262 TO-263 DFN8×8650152-40.2627
MPSA65M280CFDTO-220F650153-50.2827
MPSC65M280CFDTO-263650153-50.2827
MPSH65M320BTO-26265012.32-40.3227
MPSA65M320BTO-220F65012.32-40.3227
MPSC65M320BTO-26365012.32-40.3227
MPSU65M320BTO-25165012.32-40.3227
MPSD65M320BTO-25265012.32-40.3227
MPSP65M320BTO-22065012.32-40.3227
MPSY65M320BDFN8×865012.32-40.3227
MPSA65M380BTO-220F65010.42-40.3822.6
MPSD65M380BTO-25265010.42-40.3822.6
MPSZ65M380BTO-220FT65010.42-40.3822.6
MPSC65M380BTO-26365010.42-40.3822.6
MPSP65M380BTO-22065010.42-40.3822.6
MPSU65M380BTO-25165010.42-40.3822.6
MPSH65M380BTO-26265010.42-40.3822.6
MPSY65M380BDFN8×865010.42-40.3822.6
MPSX65M390TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 DFN8*8650112.5-4.50.3920
MPSA65M450BTO-220F6509.22-40.4520
MPSP65M450BTO-2206509.22-40.4520
MPSC65M450BTO-2636509.22-40.4520
MPSH65M450BTO-2626509.22-40.4520
MPSD65M450BTO-2526509.22-40.4520
MPSU65M450BTO-2516509.22-40.4520
MPSA65M550BTO-220F6507.62-40.5516
MPSU65M550BTO-2516507.62-40.5516
MPSD65M550BTO-2526507.62-40.5516
MPSC65M550BTO-2636507.62-40.5516
MPSH65M550BTO-2626507.62-40.5516
MPSA65M640BTO-220F6506.72-40.6414
MPSP65M640BTO-2206506.72-40.6414
MPSD65M640BTO-2526506.72-40.6414
MPSC65M640BTO-2636506.72-40.6414
MPSH65M640BTO-2626506.72-40.6414
MPSU65M640BTO-2516506.72-40.6414
MPSY65M640BDFN8×86506.72-40.6414
MPSX65M650TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 DFN8*865082.5-4.50.6513.4
MPSX65M810TO-220F TO-220 TO-251 TO-25265062.5-4.50.8110.4
MPSH65M830BTO-2626505.52-40.8311.2
MPSU65M830BTO-2516505.52-40.8311.2
MPSA65M830BTO-220F6505.52-40.8311.2
MPSD65M830BTO-2526505.52-40.8311.2
MPSC65M830BTO-2636505.52-40.8311.2
MPSX65M990TO-220F TO-220 TO-251 TO-25265042.5-4.50.998.8
MPSA65M1K0BTO-220F6504.82-419.3
MPSD65M1K0BTO-2526504.82-419.3
MPSU65M1K0BTO-2516504.82-419.3
MPSX70M190TO-220F TO-220 TO-262 TO-263 TO-247700202-40.1938.5
MPSA70M200CFDTO-220F700203-50.242
MPSX70M290TO-220F TO-220 TO-262 TO-263700152-40.2927
MPSA70M300CFDTO-220F700153-50.327
MPSC70M300CFDTO-263700153-50.327
MPSC70M360BTO-26370011.62-40.3627
MPSA70M360BTO-220F70011.62-40.3627
MPSD70M360BTO-25270011.62-40.3627
MPSU70M360BTO-25170011.62-40.3627
MPSA70M420BTO-220F700112-40.4222.6
MPSD70M420BTO-252700112-40.4222.6
MPSC70M420BTO-263700112-40.4222.6
MPSU70M420BTO-251700112-40.4222.6
MPSA70M600BTO-220F7007.32-40.616
MPSD70M600BTO-2527007.32-40.616
MPSU70M600BTO-2517007.32-40.616
MPSA70M710BTO-220F7006.42-40.7114
MPSD70M710BTO-2527006.42-40.7114
MPSA70M1K1BTO-220F7004.52-41.19.3
MPSU70M1K1BTO-2517004.52-41.19.3
MPSD70M1K1BTO-2527004.52-41.19.3
MPSU70M1K5TO-25170052.5-3.51.55.5
MPSD70M1K5TO-25270052.5-3.51.55.5
MPSA70M1K5TO-220F70052.5-3.51.55.5
MPSA80M380BTO-220F800132-40.3829
MPSD80M380BTO-252800132-40.3829
MPSA80M670BTO-220F80082-40.6717.4
MPSD80M670BTO-25280082-40.6717.4
MPSA80M850BTO-220F8006.62-40.8513.7
MPSD80M850BTO-2528006.62-40.8513.7

IGBT module

芯长征拥有车规级模组产线,工艺技术覆盖所有焊接式产品和部分压接式产品,工艺技术和封装设备满足光伏、风力发电和汽车行业所需模块封装需求,为高可靠性模块预置了超声波焊接、铜线键合等工艺;新型AlSiC、SiN等材料逐渐用于车用模块。


芯长征目前大规模量产的模块采用自主设计的第四代沟槽栅场截止(Trench FS) IGBT芯片,并将逐步推出采用第六代和第七代沟槽栅场截止IGBT芯片的模块,实现更低的损耗、更高的功率密度和更高的工作结温(175℃)。


产品特点

·高可靠性,先进的功率循环和温度循环能力;

·高功率密度和工作结温;

·关键参数一致性好,易于并联使用;

·采用先进的槽栅场截止(Trench FS) IGBT芯片,具有静态参数、动态参数和短路参数的良好折中特性



产品

Part Number

VCE(V)

Ic(A)@

100℃

VCE(sat)(V)    @25℃ typ

Eon(mJ)

Eoff(mJ)

Package

MPFF100R07RBF65010023.21.634mm module
MPFF150R07RBF6501502.14.33.134mm module
MPFF200R07RBF6502002.25.85.134mm module
MPFF50R12RB1200502.13.71.634mm module
MPFF75R12RB12007525.44.134mm module
MPFS820R08PBF7508201.48.824.35HybridPACK Drive
MPFF100R12RB12001001.956.875.4434mm module
MPFF150R12KB12001501.819.47.3962mm module
MPFF150R12KBF12001501.955.68.762mm module
MPFF150R12RB120015023.68.734mm module
MPFF200R12RB12002001.9722.717.134mm module
MPFF200R12KB12002002212.162mm module
MPFF200R12KBF120020028.813.662mm module
MPFF300R12KBF12003002.0513.721.762mm module
MPFF400R12KBF12004001.927.838.962mm module
MPFF450R12KBF12004502.0488.443.762mm module
MPFF450R12MBF12004502.1364.536.8EconoDual
MPFF600R12MBF12006002.2148.583.9EconoDual
MPFF300R17MBF12003001.9570.562.462mm module
MPFF450R17MBF12004502.4159.794EconoDual




IPM

作为先进的智能功率模块设计和供应商,芯长征致力于推广高性能、高稳定性和具有价格竞争力的系列IPM产品


应用于风机类的小功率电机驱动IPM是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路;其内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路,内部集成了欠压保护功能;应用于较低功率的变频驱动IPM,其内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBTFRD,内部集成了欠压、短路、过温等各种保护功能,提供了优异的保护和可靠的安全工作范围,而且每一相都有一个单独的负直流端,其电流可以分别单独检测。在封装方面,采用了高绝缘、易导热和高可靠性的设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。


产品特点

·内置6个快恢复功率MOS管或IGBT+FRD,内置高压栅极驱动电路,内置欠压保护,过流保护,过温保护等;

·兼容3.3V和5V的MCU的接口,高电平可靠;

·内置带限流电阻的快恢复自举二极管,良好的热稳定性,绝缘级别1500Vrms/min



产品

Part Number

Switch Type

VDS(V)/   VCE(V)

ID(A)@25℃/ IC(A)@100℃

Power range(w) @f=20KHZ

Viso

Package

MPVM03N60

MOSFET

600350—1001.5KVDIP23H/SOP23H
MPVM07N60MOSFET600780—1501.5KVDIP23H/SOP23H
MPBM15N60BTBIGBT60015700—13001.5KVDIP-24
MPBM30N60BTBIGBT60030700—11.5KVDIP-24




FRD

快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短等特点的二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中


芯长征FRD 采用先进的寿命控制技术,兼备较低的VF和优异的反向恢复损耗,关注FRD在浪涌能力上的提升,优化FRD的软度因子,使其更加适合于变频应用电路中.


产品特点

·较低的VF;

·低的反向恢复电荷Qrr;

·高的浪涌能力IFSM


产品

Part NumberPackageVRRM (V)IF(AV) (A)VFM (V) @25℃IRM (μA) @25℃Polarity
typmaxtypmax
MPRT60U30BTO-3P-3L30030*20.951.2-4共阴
MPRT80U40BTO-3P-3L40040*2-1.5-10共阴



         










PIM

芯长征拥有车规级模组产线,工艺技术全面,覆盖所有焊接式产品和部分压接式产品,工艺技术和封装设备满足光伏、风力发电和汽车行业所需模块封装需求,为高可靠性模块预置了超声波焊接、铜线键合等工艺;新型AlSiC、SiN等材料逐渐用于车用模块。


芯长征目前大规模量产的模块采用自主设计的第四代沟槽栅场截止(Trench FS) IGBT芯片,并将逐步推出采用第六代和第七代沟槽栅场截止IGBT芯片的模块,实现更低的损耗、更高的功率密度和更高的工作结温(175℃)。


产品特点

·高可靠性,极佳的功率循环和温度循环能力;

·高功率密度和工作结温;

·关键参数一致性好,易于并联使用;

·采用先进的槽栅场截止(Trench FS) IGBT芯片,具有静态参数、动态参数和短路参数的良好折中特性



产品           

Part NumberVCE(V)Ic(A)@80℃VCE(sat)(V)    @25℃ typEon(mJ)Eoff(mJ)Package
MPFP50R07CBF650501.643.440.78EconoPIM™2
MPFP15R12WBF12001521.740.86Easy 1B
MPFB15R12WBF12001521.620.68Easy 1B
MPFP25R12EBF1200252.043.211.32Easy 2B
MPFP40R12EBF1200401.944.612.19Easy 2B
MPFP15R12CBF1200151.933.750.88EconoPIM™2
MPFP40R12CBF1200401.986.42.8EconoPIM™2
MPFP40R12FBF1200402.2311.142.59EconoPIM™2
MPFP40R12CMF1200401.785.211.32EconoPIM™2
MPFP25R12CBF1200251.984.251.64EconoPIM™2
MPFP25R12FBF1200252.14.941.5EconoPIM™2
MPFA50R12CBF1200502.2314.393.42EconoPIM™2
MPFP50R12FBF1200502.2515.173.09EconoPIM™2
MPFP50R12DBF1200501.8812.783.71EconoPIM™2
MPFP50R12TBF1200501.9424.44.93EconoPIM™2
MPFS75R12CBF1200751.8313.74.8EconoPIM™2
MPFP75R12TBF1200751.929.064.21EconoPIM™3
MPFP75R12DBF1200751.988.24.9EconoPIM™3
MPFS100R12DBF12001001.812.236.9EconoPIM™3
MPFP100R12DBF12001001.9326.28.1EconoPIM™3
MPFS150R12DBF12001501.892.9610.26EconoPIM™3
MPFP150R12DBF12001501.921.2411EconoPIM™3
MPFS200R12DBF12002001.854.0419.1EconoPIM™3








SGT MOSFET

SGT MOSFET又名屏蔽栅MOSFET,是一种采用电荷耦合技术来实现极低导通压降的单极性功率器件,是一种非常适合中低压应用的高性能器件。


芯长征科致力于开发高性能SGT MOSFET产品,目前覆盖40V~200V,最大电流达到300A,并且通过优化器件寄生电容,实现了极低FOM (RDSON*Qg) 优值产品。



产品特点

·低导通电阻,低FOM(RDSON*Qg),高EAS能力


产品

Part NumberPackage

VDSS(V)

ID(A)@25℃

V(GS)th(V)@250μA

RDS(on)(mΩ)   25℃ Max

QG(nC)
MinMax@VGS=10V@VGS=4.5V
MPGP10R065TO-220100871.12.56.5930
MPGJ10R7DFN5*6100941.12.36.5950
MPGD10R7TO-252100941.12.379.550




Trench MOSFET

Trench MOS是一种传统沟槽功率器件,具有高可靠性和高性价比,主要适用于中低压场合,尤其是在低压领域具有高性价比优势。


AG8旗舰厅 -AG8旗舰厅APP资讯/攻略/下载 -apple app store采用先进的沟槽技术进一步降低了传统trench MOSFET的导通电阻和FOM(RDSON*Qg),充分将器件性能提高到先进水平,目前主要产品电压覆盖20V~100V产品系列。主要应用于DC-DC,电池管理系统、LED、电机驱动等等。


产品特点

·低导通电阻,低FOM,高EAS能力,高性价比



产品

Part NumberPackageVDSS(V)ID(A)@25℃V(GS)th(V)@250μARDS(on)(mΩ)   25℃ MaxQG(nC)
minmax@VGS=10V@VGS=4.5V
MPTO3N60SOT23-3L6031.32.48010016
MPTO4N85SOT23-3L85412.4250-5.5
MPTO2N10SOT23-3L10021.22.5240-10



         










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